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基于BSIM3V3的部分耗尽SOI MOSFET解析模型

李瑞贞 , 韩郑生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.016

提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型,SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数.用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性.

关键词: SOI MOSFET , 物理模型 , 参数提取