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一种自动体偏置多阈值电压高温 SOI CMOS电路

张海鹏 , 魏同立 , 杨国勇 , 冯耀兰 , 宋安飞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.014

提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－ MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－ MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果， 并简述了该电路的应用前景。

关键词: 自动体偏置 , 多阈值电压 , 高温 , SOICMOS电路