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a-Si:H TFT亚阈值区SPICE模型的研究

邵喜斌 , 王丽娟 , 李梅

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.001

研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶H TFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化....

关键词: a-Si:H TFT , SPICE模型 , 亚阈值区