尤卫卫
,
冒建亮
,
叶桦
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0444
为了实现对TFT-LCD的控制,本文以STM32和CPLD作为核心控制器,SRAM作为显示缓存,介绍了一种TFT-LCD控制器设计方法。首先,对设计总体架构进行了分析,STM32内部实现了 Intel8080总线协议的制定,CPLD 内部实现了通讯协议的解析、LCD显示时序的驱动、以及 SRAM的读写控制。最后,对 LCD显示时序和SRAM的读写进行了仿直,并给出了实现效果图。结果表明,该设计方法能够控制TFT-LCD准确地显示出图文。结构简单,性价比高,具有较高应用价值。
关键词:
STM32
,
CPLD
,
SRAM
,
LCD时序
童腾
,
苏弘
,
王晓辉
,
刘杰
,
张战刚
,
刘天奇
,
古松
,
杨振雷
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.170
中国科学院近代物理研究所材料研究中心开展了对静态随机存储器(Static Random Access Memory， SRAM)单粒子效应(Single Event Effects， SEEs)的深入研究。材料中心目前拥有的两套SRAM单粒子检测系统各自具有一定的局限性，所以又提出了一种改进的SRAM SEE检测方法，并研制了相关电路。该检测系统在兰州重离子研究装置(HIRFL)提供的束流辐射终端上进行了多次实验，获得了一批实验数据。其中包括129 Xe束流辐照条件下，对65 nm SRAM单粒子翻转的研究；12 C束流辐照条件下，对65，130和150 nm商用错误纠正编码加固SRAM SEE的研究；129Xe束流辐照条件下，对普通商用SRAM单粒子锁定的研究等。实验验证了该检测系统的有效性和可靠性，为开展SRAM SEE的研究提供了重要的检测平台，并为以后开展更复杂器件SEE的研究提供了实验经验和技术基础。
关键词:
SRAM
,
单粒子效应
,
检测系统
,
重离子
李睿
,
王俊
,
孔蔚然
,
马惠平
,
浦晓栋
,
莘海维
,
王庆东
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.014
本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理.通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致.TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻.我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽.
关键词:
静态随机存储器
,
单比特位失效
,
多晶硅栅耗尽
