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半导体异质结界面处Sb/As交换反应研究

邱永鑫 , 李美成 , 熊敏 , 张宝顺 , 刘国军 , 赵连城

稀有金属材料与工程

利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究.实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小.这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短.

关键词: 分子束外延 , 异质结 , 超品格 , Sb/As交换反应

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