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吴清英 , 邴文增 , 龙兴贵 , 周晓松 , 刘锦华 , 罗顺忠
稀有金属材料与工程
采用电子束沉积的方法在底衬Mo (Rq≈5~8.63 nm)上制备了厚度为2~3 μm的Sc膜,再将Sc膜在Sievert真空系统中进行吸氘.结果表明:在底衬温度为623,823,1023 K时,Sc膜呈现出柱状结构,且具有(002)的择优生长;随着沉积温度从623 K增大到1023 K,Sc膜的(...
关键词: Sc膜 , 氘化物 , 底衬温度 , 微观结构 , 电子束沉积