韩喻
,
谢凯
,
李宇杰
,
许静
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.016
摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件,探索性研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响.结果显示射频功率越小,流量越低,反应室压力越大,则反应速率越低,Opal结构内外填充越均匀.同时,在[SiHm]自由基扩散通道不被堵塞的前提下...
关键词:
PECVD
,
反Opal结构
,
Si凹槽
