李瑞
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张析
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张丹青
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向钢
材料导报
系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理.同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景.
关键词:
热蒸发法
,
第Ⅳ族半导体
,
Si纳米线
,
Ge纳米线
,
SiGe纳米线
马蕾
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郭延岭
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娄建忠
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彭英才
人工晶体学报
以Au膜作为催化剂和大晶粒多晶Si薄膜为衬底,利用固-液-固生长机制,制备出直径在30～ 100 nm和长度为几百微米的高密度Si纳米线.实验研究了退火温度、生长时间和N2流量对Si纳米线生长的影响.结果表明,随着退火温度的升高,生长时间的延长和N2流量的增加,Si纳米线的长度和密度都显著增加.对不...
关键词:
多晶Si薄膜
,
Si纳米线
,
退火温度
,
生长时间
,
光致发光
梁伟华
,
赵亚军
,
王秀丽
,
郭建新
,
傅广生
,
王英龙
人工晶体学报
利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Au掺杂Si纳米线的态密度和磁性进行了计算.结果表明:杂质Au的形成能随Si纳米线直径的增大和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越小的Si纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的Si纳米线越不稳定.其磁性是由于Au d轨道和Si p轨道的p-d耦合而产生的；改...
关键词:
Si纳米线
,
掺杂浓度
,
磁性
,
电子结构
