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热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究

黄海宾 , 沈鸿烈 , 唐正霞 , 吴天如 , 张磊

人工晶体学报

采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge 薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析.结果表明:在衬底温度200 ℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0 cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04 cm-1.结晶质量非常接近于体单晶的(...

关键词: 热丝CVD , 低温外延 , 单晶Si衬底 , Si膜 , Ge膜