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ICPCVD制备硅薄膜结构的椭偏光谱研究

王晓强 , 贺德衍 , 李明亚 , 甄聪棉 , 韩秀梅

稀有金属材料与工程

利用单圈内置式ICP-CVD方法在室温下制备了Si薄膜.在拉曼光谱、原子力显微镜(AFM)对样品结构分析的基础上,采用对样品结构无损伤的椭圆偏振光谱(SE)法对样品进行了测量,结合有效介质近似(EMA)模型,对样品的微结构进行了计算拟合.拉曼光谱及AFM分析表明:样品为具有纳米晶相的Si薄膜;分光椭...

关键词: ICP-CVD , Si薄膜 , 低温生长 , 椭偏光谱法

退火温度对Al(Ce)诱导Si薄膜晶化过程的影响研究

郭佳丽

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.04.018

基于铝诱导晶化方法,通过直流磁控溅射离子镀技术利用纯Al、纯Si和Al(Ce)靶材,制备了Al-Si和Al(Ce)-Si薄膜.采用真空退火炉和X射线衍射仪在不同温度下,对样品进行了退火实验并分析了Al-Si和Al(Ce)-Si薄膜的晶化和生长过程；结合Si薄膜的生长机理,研究了Al和稀土Ce在对Si...

关键词: 稀土Ce , Si薄膜 , 退火 , 晶化过程

Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的模拟

王全彪 , 杨瑞东 , 杨宇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.016

本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1) 表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,利用该模型对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:吸附原子的扩散距离随温度的变化满足指数函数L=L0AeT/C.在一定的入射率下存在...

关键词: Si薄膜 , 动力学蒙特卡罗 , 扩散距离 , 成岛温度

离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长

宋超 , 杨瑞东 , 冯林永 , 杨宇

材料导报

采用离子束溅射技术,在低生长束流(4～10 mA)范围内,对低温(25～300 ℃)Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长.

关键词: Si薄膜 , 离子束溅射 , 束流 , 低温

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