王晓强
,
贺德衍
,
李明亚
,
甄聪棉
,
韩秀梅
稀有金属材料与工程
利用单圈内置式ICP-CVD方法在室温下制备了Si薄膜.在拉曼光谱、原子力显微镜(AFM)对样品结构分析的基础上,采用对样品结构无损伤的椭圆偏振光谱(SE)法对样品进行了测量,结合有效介质近似(EMA)模型,对样品的微结构进行了计算拟合.拉曼光谱及AFM分析表明:样品为具有纳米晶相的Si薄膜;分光椭圆偏振法结合EMA模型对样品微结构的拟合分析得出了同样的结论,说明即使在室温下用ICP-CVD也获得了具有纳米晶相的Si薄膜,薄膜微结构与源气体SiH4浓度有密切关系.说明分光椭圆偏振法是研究薄膜材料的一种有力手段.
关键词:
ICP-CVD
,
Si薄膜
,
低温生长
,
椭偏光谱法
郭佳丽
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.04.018
基于铝诱导晶化方法,通过直流磁控溅射离子镀技术利用纯Al、纯Si和Al(Ce)靶材,制备了Al-Si和Al(Ce)-Si薄膜.采用真空退火炉和X射线衍射仪在不同温度下,对样品进行了退火实验并分析了Al-Si和Al(Ce)-Si薄膜的晶化和生长过程；结合Si薄膜的生长机理,研究了Al和稀土Ce在对Si薄膜退火晶化过程中的影响.结果表明:在Al(Ce)诱导Si薄膜晶化过程中,Ce可促进Si原子沿Si(111)晶面生长；500℃退火后,与Al-Si薄膜相比Al(Ce)-Si薄膜中Si的平均晶粒尺寸显著减小；Ce的存在细化了Al晶粒尺寸,且在扩散进程中使得Al原子弥散分布于Si原子所在微区,是Si晶粒平均晶粒尺寸减小的主要原因.
关键词:
稀土Ce
,
Si薄膜
,
退火
,
晶化过程
王全彪
,
杨瑞东
,
杨宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.016
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1) 表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,利用该模型对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:吸附原子的扩散距离随温度的变化满足指数函数L=L0AeT/C.在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高.随入射率的减小,薄膜逐渐从离散生长向紧致生长转变,表面扩散的各向异性越显著.
关键词:
Si薄膜
,
动力学蒙特卡罗
,
扩散距离
,
成岛温度
宋超
,
杨瑞东
,
冯林永
,
杨宇
材料导报
采用离子束溅射技术,在低生长束流(4～10 mA)范围内,对低温(25～300 ℃)Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长.
关键词:
Si薄膜
,
离子束溅射
,
束流
,
低温
