张源涛
,
崔勇国
,
张宝林
,
朱慧超
,
李万成
,
常遇春
,
杨树人
,
杜国同
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.032
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学...
关键词:
ZnO薄膜
,
Si衬底
,
PL谱
,
异质结
余春燕
,
翟化松
,
申艳强
人工晶体学报
通过采用化学气相沉积法(CVD),以金属Ga和NH3为原料,在Si (100)衬底和蓝宝石衬底上采用催化剂Ni合成了GaN微米片.利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X-ray能谱仪(EDS)、光致发光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)对样品进行表征.结果表明...
关键词:
GaN微米片
,
Si衬底
,
蓝宝石衬底
,
化学气相沉积
刘卫华
,
李有群
,
方文卿
,
周毛兴
,
刘和初
,
莫春兰
,
王立
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.011
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec....
关键词:
Si衬底
,
GaN
,
LED
,
理想因子
朱玉满
,
张文征
,
叶飞
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.05.003
利用从固态相变产生的沉淀相惯习面总结出的Δg平行法则,计算了β-FeSi2半导体薄膜和Si基体之间可能的择优取向关系.根据界面匹配和结构的分析,建议最优衬底基面的晶体学位向.预测的界面是一个无理面,含有原子尺度台阶,晶格间具有良好匹配关系.以该界面位向作为Si衬底的基面有可能导致高质量金属硅化物β-...
关键词:
取向关系
,
界面结构
,
Δg平行法则
,
CCSL模型
,
β-FeSi2薄膜
,
Si衬底
肖宗湖
,
张萌
,
熊传兵
,
江风益
,
王光绪
,
熊贻婧
,
汪延明
人工晶体学报
本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响.XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放.随着裂纹数量的增加,n型Ga...
关键词:
Si衬底
,
InGaN/GaN
,
LED
,
裂纹
,
应力
李冬梅
,
李璠
,
苏宏波
,
王立
,
戴江南
,
蒲勇
,
方文卿
,
江风益
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.014
本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、...
关键词:
氧化锌
,
金属Ti
,
Si衬底
,
金属有机化学气相沉积
柯一青
,
周迪帆
,
刘珏
,
曾敏
,
朱红妹
,
张义邴
低温物理学报
利用两步原位电子束蒸发技术,在Si(111)衬底上制备了MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森夹心结.夹心硼(B)层厚度从10nm到80nm范围内MgB2-B-MgB2/Si(111)薄膜表现出明显的SNS约瑟夫森结特性,而在5nm和100nm处薄膜分别是整体超导和正常金属特性.在同一温度下,随着...
关键词:
约瑟夫森结
,
MgB2
,
超导薄膜
,
电子束蒸发
,
Si衬底
宁耀斌
,
蒲红斌
,
陈春兰
,
李虹
,
李留臣
人工晶体学报
以6H-SiC (0001) Si面和Si(100)为衬底,采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶两靶共溅射的方法,并经过后续的快速退火成功制备了β-FeSi2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、拉曼(RAMAN)和电子扫描电镜(SEM)研究了不同衬底对薄膜生长过程的影响.结果表明:与Si衬底不同,6H-...
关键词:
β-FeSi2薄膜
,
6H-SiC衬底
,
Si衬底
,
磁控溅射
