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CH3SiCl3-BCl3-H2体系气相沉积的热力学计算

左新章 , 张立同 , 刘永胜 , 成来飞 , 曾庆丰

复合材料学报

利用FactSage software软件进行热力学计算,获得了CH3SiCl3(MTS)-BCl3-H2体系在化学气相沉积环境中Si-B-C陶瓷的热力学产物图和相图.讨论了在高温(900~1100℃)、低压(2 kPa、5 kPa和12 kPa)条件下系统总压、温度和反应气体比例等参数对主要产物产率的影响.结果表明,在所研究的参数范围内,系统总压、温度和气体比例对B4C相的产率影响比较明显,而对SiC相的产率影响不明显.气体比例对C相的产率影响比较明显,温度和系统总压对C相的产率影响不明显.各参数的变化对主要气态产物(BHx、CxHy、SiClx等)的产率有一定程度的影响.稀释气体分压的增加有利于富B相的生成,MTS分压的增加有利于SiC的生成.

关键词: 热力学计算 , Si-B-C陶瓷 , 产物分析 , 化学气相沉积(CVD)

Si-B-C陶瓷涂敷2D C/SiC复合材料的抗氧化性能

左新章 , 张立同 , 刘永胜 , 成来飞 , 龚慧灵

复合材料学报

利用化学气相沉积(CVD)法制备了Si-B-C陶瓷涂敷改性的2D C/SiC复合材料,研究了其在700~1200℃氧化10 h性能和结构的演变规律以及自愈合机制,同时获得了Si-B-C涂层在不同温度氧化后的形貌、组分和物相转变规律.结果表明:涂敷在复合材料表面的Si-B-C陶瓷随温度的升高氧化加快,但氧化程度较低,不深于7μm;随温度的升高,氧化形成的硅硼玻璃黏度降低,挥发增强;当温度达到1200℃时,硅硼玻璃析出SiO2晶体;Si-B-C陶瓷涂敷改性的C/SiC具有优良的抗氧化性能,随氧化温度的升高,复合材料失重率增加,但在1200℃氧化10h后失重率仅为0.47%;此外材料在1000℃氧化后的强度保持率最高,达到91.6%,Si-B-C陶瓷氧化形成的硅硼玻璃可以有效封填裂纹,这是材料具有优良抗氧化性能的主要机制.

关键词: C/SiC , Si-B-C陶瓷 , 涂层 , 氧化 , 形貌 , 自愈合

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