孟凡君
,
谭业邦
,
刘宗林
,
茹淼焱
,
刘爱祥
,
孟霞
高分子材料科学与工程
直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS) 与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷 (PSZ) 前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3 kJ/mol.PSZ在1100 ℃高温裂解后,可得到无氯Si-C-N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si-C-N陶瓷的最经济的方法之一.
关键词:
高沸物二硅烷
,
甲基氯二硅烷
,
环硅氮烷
,
氨解
,
聚硅氮烷前驱体
,
粘流活化能
,
裂解
,
Si-C-N陶瓷
盂凡君
,
茹淼焱
,
刘爱祥
,
刘宗林
,
孟霞
高分子材料科学与工程
氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体可得到聚硅氮烷前驱体,其高温裂解和球磨后获得的Si-C-N陶瓷粉末能吸收X波段(8 GHz～12 GHz)的雷达波,其吸收性能随氯硅烷单体的配比不同而变化.当将Si-C-N陶瓷粉末与磁性材料复合后,吸收性能大为改进,厚度2.20 mm的吸收层,面密度仅为2.86 kg/m2,在10.47 GHz处吸收可达-28.84 dB,证明了阻抗匹配在研制雷达吸收材料方面的重要性,并提出Si-C-N陶瓷与μ′、μ″值更高的磁性材料复合,吸收性能将会得到更大的提高.
关键词:
雷达吸收
,
聚硅氮烷
,
Si-C-N陶瓷
,
甲基氯硅烷
,
苯基氯硅烷
,
氨解
,
磁性材料
孟凡君
,
茹淼焱
,
刘爱祥
,
刘宗林
,
吴秀荣
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2003.01.021
对前驱体法制备的Si-C-N陶瓷粉末在X波段(8.2～12.4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究.通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2SiCl2),得到含苯基聚硅氮烷前驱体,经高温裂解和球磨获得Si-C-N陶瓷粉末.实验结果表明,Si-C-N陶瓷能够吸收X波段的雷达波,并且有机硅单体中Ph2SiCl2的摩尔比对最终的Si-C-N陶瓷吸波性能具有显著的影响.当Ph2SiCl2的含量为5%时,Si-C-N陶瓷对X波段雷达波具有最好的反射损耗,在9.1～12.4GHz的范围内,反射损耗R.L.小于-10dB即吸收带宽为3.3GHz, 在10.6GHz处具有的最大反射损耗为-15dB.
关键词:
雷达波吸收材料(RAM)
,
聚硅氮烷
,
Si-C-N陶瓷
,
氨解
卢国锋
,
乔生儒
,
张程煜
,
焦更生
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.10828
采用化学气相沉积法制备了块体非晶态Si-C-N陶瓷.用TG/DSC、XRD,SEM和TEM等技术方法研究了所制备的Si-C-N陶瓷的热行为.研究结果表明:在热处理过程中,非晶态Si-C-N首先发生相分离,分离后的一种相呈颗粒状;β-Sic就是从这种颗粒状的分离相中形成.在热处理条件下,非晶Si-C-N的晶化温度约为1200℃;在加热速率为20℃/min的连续加热条件下,其晶化温度为1372.6℃.β-sic在1200℃首先形成,β-Si3N4和α-sic则在1500℃形成.在扫描电镜观察中,热处理后的Si-C-N中出现一种类似于层状的组织,这种组织的晶化程度较高.
关键词:
非晶态
,
Si-C-N陶瓷
,
热行为
,
晶化
卢国锋
硅酸盐通报
本研究采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N).用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了C/PyC/Si-C-N的热膨胀性能和热扩散性能.研究结果表明:在25～1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合材料的平均热膨胀系数为0.638×106 K-1;而热扩散率则随温度的升高而减小,并与温度呈一种指数关系,常温下的热扩散率约为0.00925 cm2·s-1.
关键词:
复合材料
,
热膨胀
,
热扩散
,
Si-C-N陶瓷
