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化学气相沉积法制备的块体Si-C-N陶瓷的热行为

卢国锋 , 乔生儒 , 张程煜 , 焦更生

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.10828

采用化学气相沉积法制备了块体非晶态Si-C-N陶瓷.用TG/DSC、XRD,SEM和TEM等技术方法研究了所制备的Si-C-N陶瓷的热行为.研究结果表明:在热处理过程中,非晶态Si-C-N首先发生相分离,分离后的一种相呈颗粒状;β-Sic就是从这种颗粒状的分离相中形成.在热处理条件下,非晶Si-C-N的晶化温度约为1200℃;在加热速率为20℃/min的连续加热条件下,其晶化温度为1372.6℃.β-sic在1200℃首先形成,β-Si3N4和α-sic则在1500℃形成.在扫描电镜观察中,热处理后的Si-C-N中出现一种类似于层状的组织,这种组织的晶化程度较高.

关键词: 非晶态 , Si-C-N陶瓷 , 热行为 , 晶化

C/PyC/Si-C-N复合材料的热物理性能研究

卢国锋

硅酸盐通报

本研究采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N).用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了C/PyC/Si-C-N的热膨胀性能和热扩散性能.研究结果表明:在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合材料的平均热膨胀系数为0.638×106 K-1;而热扩散率则随温度的升高而减小,并与温度呈一种指数关系,常温下的热扩散率约为0.00925 cm2·s-1.

关键词: 复合材料 , 热膨胀 , 热扩散 , Si-C-N陶瓷

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