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聚硅氧烷先驱体转化制备三维Cf/Si-O-C复合材料的研究

马青松 , 陈朝辉 , 郑文伟 , 胡海峰

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2003.02.010

研究了含氢聚硅氧烷(PSO)与二乙烯基苯(DVB)的交联与裂解.结果表明:只有在氯铂酸的催化作用下,PSO与DVB才能完全交联.DVB/PSO质量比对陶瓷产率的影响较大,DVB/PSO＝0.5时陶瓷产率最高,达到76 %.裂解产物中Si,C,O的含量分别为38.3 wt%,34.3 wt%,27.4...

关键词: Si-O-C陶瓷 , 聚硅氧烷 , 交联 , 裂解 , 先驱体转化 , 微观结构 , 陶瓷基复合材料

聚硅氧烷转化Si-O-C陶瓷的电阻率

马青松 , 陈朝辉

稀有金属材料与工程

由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷,其电阻率为2220 Ω·cm.在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al/Si-O-C和MoSi2/Si-O-C陶瓷.制备温度对材料电阻率有很大的影响.

关键词: Si-O-C陶瓷 , 电阻率 , 聚硅氧烷 , 填料 , 先驱体裂解

不同交联剂对聚硅氧烷裂解产物的影响

马青松 , 陈朝辉 , 郑文伟 , 胡海峰

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2002.04.008

分别利用含乙烯基聚硅氧烷(VPSO)和二乙烯基苯(DVB)作为交联剂使含氢聚硅氧烷(HPSO)固化,然后在高温下裂解.采用X射线衍射、红外光谱、元素分析等手段对VPSO/HPSO和DVB/HPSO两个体系的裂解产物进行表征.结果表明,两个体系的裂解产物在结构和成分上有明显不同.比较了两者间的差别,认...

关键词: 聚硅氧烷 , 裂解 , 陶瓷先驱体 , Si-O-C陶瓷

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