何秋湘
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李京伟
,
李彦磊
,
班伯源
,
白枭龙
,
陈健
,
戴松元
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.01.002
在硅晶体中利用微合金化来获取性能优良的晶硅电池是其未来发展的重要方向.微合金化过程中,在硅中加入其它元素,带来硅晶体晶格畸变而易捕获空位,增加氧沉淀浓度、减少间隙氧含量,能抑制B-O复合体形成,从而改善硅晶体机械强度、提高少子寿命以及提高晶硅电池光电转化效率、抑制光致衰减效应.重点分析了Si-Ge、Si-Ga、Si-Sn、Si-Al和Si-In微合金化在晶体硅太阳能电池中的应用,通过微合金化能够满足人们对高质量晶硅电池的要求.掌握微合金化对晶硅电池性能影响的机理,并将其运用于实际生产中是目前急需解决的问题.
关键词:
微合金化
,
晶体硅太阳电池
,
Si-Ge
,
Si-Ga
,
Si-Sn
