罗发
,
周万城
,
焦桓
,
赵东林
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2003.03.020
采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2～12.4 GHz频率范围内的微波介电特性.结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此外还与烧结温度有关.随着烧结温度的提高,复合材料介电常数和介电损耗均随之增大.SiC(N)/LAS对电磁波的损耗作用明显优于同体积分数的纳米SiC(N)与石蜡混合体,这与烧结过程中形成的碳界面有关.
关键词:
纳米SiC(N)
,
LAS玻璃陶瓷
,
SiC(N)/LAS复合材料
,
介电常数
