欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(1)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

以聚碳硅烷包覆B4C为原料温压-烧结原位制备SiC/B4C复相陶瓷

林文松 , 何亮

机械工程材料

以聚碳硅烷(PCS)包覆B4C粉为原料,分别在300℃、50 MPa下温压成型和800MPa下冷等静压成型,而后将压坯置于氩气气氛保护下在1 200℃保温2 h,再在1 800~2 000℃下真空烧结3 h,原位反应制备出SiC/B4C复相陶瓷;研究了它的相对密度、物相组成和显微结构。结果表明:温压工艺比冷等静压工艺能得到更高密度的复相陶瓷;合15%SoC的温压压坯在烧结3 h后得到复相陶瓷的相对密度大于93%;复相陶瓷由B4C和SiC相组成,SiC相均匀分布在B4C颗粒界面上。

关键词: 温压 , SiC/B4C复相陶瓷 , 聚碳硅烷 , 原位反应

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词