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CVI工艺对CVI—SiC基体及C/SiC复合材料性能的影响

宋麦丽 , 邹武 , 王涛 , 闫联生

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2001.01.006

通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明，反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响，温度在1 100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面，温度在1 100℃以上，沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面，还有...

关键词: CVI , SiC基体 , SEM分析 , XRD分析 , 微观结构