宋麦丽
,
邹武
,
王涛
,
闫联生
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2001.01.006
通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明，反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响，温度在1 100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面，温度在1 100℃以上，沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面，还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同，这直接影响了SiC基体的性能，从而影响了其复合材料的性能。此外反应气体流量也对SiC基体和复合材料性能有很大影响。本文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究，优化了CVI—SiC工艺。
关键词:
CVI
,
SiC基体
,
SEM分析
,
XRD分析
,
微观结构
