徐明升
,
胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567...
关键词:
SiC衬底
,
GaN薄膜
,
AlGaN成核层
,
应力
,
晶体质量
陈雷
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马世成
,
冯庆荣
,
董兴辉
,
朱凌志
低温物理学报
利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为(HPCVD)在(0001) SiC衬底上制备了干净的MgB2超导超薄膜.在背景气体、压强、载气氢气流量以及B2H6的流量一定的情况下,改变沉积时间,制得一系列MgB2超薄膜样品.通过...
关键词:
SiC衬底
,
MgB2超薄膜
,
混合物理化学气相沉积
于国建
,
徐明升
,
胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析.分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90％,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在压应力,Si...
关键词:
高分辨X射线衍射
,
SiC衬底
,
GaN外延层
