胡继林
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胡传跃
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刘鑫
,
田修营
硅酸盐通报
碳化硅(SiC)陶瓷由于具有高温强度高、高温抗氧化能力强、热导率高、化学稳定性好等一系列优异性能,在机械、化工、能源和军工等领域得到广泛应用.本文综述了SiC粉末的各种制备技术的最新研究进展以及烧结助剂的应用现状,阐述了各种方法的特点、基本原理及研究进展,并对几类烧结助剂体系进行了比较.最后展望了各类制备技术今后的研究方向,指出了AlN-Re2O3体系添加剂的优势所在.
关键词:
SiC
,
粉末
,
烧结助剂
,
进展
白成英
,
苏魁范
,
邓湘云
,
李建保
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王春鹏
,
景亚妮
硅酸盐通报
以不同粒径碳化硅为骨料,羧甲基纤维素钠(CMC)为粘结剂,在大气中利用碳化硅颗粒表面氧化成的SiO2粘接在一起低温合成多孔碳化硅陶瓷.分析了粒径大小、烧结温度、成型压力对氧化结合多孔碳化硅陶瓷特性的影响.用TG-DSC、XRD、SEM研究了碳化硅陶瓷的氧化性能,物相组成,微观形貌.结果表明:原始粒径越小,碳化硅陶瓷的活性越高,相应的氧化程度越高,在1μm时氧化率最高达到49.58％,但其在1000℃保温100 h质量增重也最高达7.53％;随着烧结温度升高,碳化硅氧化率增加,气孔率相应地降低;成型压力也对碳化硅陶瓷的氧化率,气孔率产生一定影响.
关键词:
碳化硅
,
多孔陶瓷
,
氧化结合法
,
氧化率
,
二氧化硅
,
气孔率
杨东杰
,
李丽丽
材料开发与应用
本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和制备方法,重点对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望.
关键词:
SiC
,
半导体
,
器件
,
物理气相传输法
孙红婵
,
胡冰
,
张桓
,
李晨辉
,
王鑫阁
,
张红松
硅酸盐通报
采用放电等离子烧结技术分别制备了SiC和钨丝掺杂SiC材料,记录了两种材料烧结工艺曲线,利用XRD方法测定了制备材料的成分.分析工艺曲线结果表明:烧结过程可分为4个阶段,其中SiC-W烧结第二阶段温度明显低于SiC烧结温度,且位移量小于SiC.
关键词:
碳化硅
,
钨丝
,
烧结工艺
