朱俊杰
,
林碧霞
,
孙贤开
,
郑海务
,
姚然
,
傅竹西
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.017
本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认为,SiC/Si的异质外延,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散.但是,本文通过在不同流量比的条件下,SiC薄膜在Si基片以及Al2O3基片上外延的比较,发现在...
关键词:
SiC 薄膜
,
Si(111)衬底
,
低压MOCVD
,
异质外延
,
扩散
