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原位生成SiC-MoSi_2-TiSi_2涂层的工艺条件研究

焦更生 , 李贺军 , 卢国锋

功能材料

用一次包埋法制备了C/C复合材料SiC-MoSi2-TiSi2复相陶瓷内涂层,对制备涂层的影响因素进行了分析。最终确定的制备条件为制备温度2573K,保温时间为2h,MoSi2和TiC的配比为5∶2。结果表明C/C复合材料表面SiC-MoSi2-TiSi2复相陶瓷涂层在1500℃有氧环境下氧化49h,失重仅仅2.18%,失重率为1.17×10-4g/（cm2.h）,具有良好的抗氧化性能。

关键词: 原位生成 , 涂层 , SiC-MoSi2-TiSi2