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检索条件：关键词=SiCp/Cu
刘猛 , 李顺 , 白书欣 , 赵恂 , 熊德赣
材料导报
详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiC/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法.分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/C...
关键词: 电子封装材料 , SiCp/Cu , 制备方法 , 界面反应 , 界面调控
刘猛 , 白书欣 , 李顺 , 赵恂 , 熊德赣
材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.08.002
采用热压烧结法成功制备SiCp／Cu复合材料。采用溶胶‐凝胶工艺在SiC颗粒表面制备Mo涂层，研究Mo界面阻挡层对复合材料热物理性能的影响。结果表明：过氧钼酸溶胶‐凝胶体系能够在S iC颗粒表面包覆连续性、均匀性较好的MoO3涂层，最佳工艺配比为SiC∶MoO3＝5∶1（质量比）、过氧化氢∶乙醇＝1...
关键词: 溶胶-凝胶 , 表面改性 , Mo涂层 , SiCp/Cu , 热压烧结 , 热导率
