高攀
,
张万荣
,
邱建军
,
杨经纬
,
金冬月
,
谢红云
,
张静
,
张正元
,
刘道广
,
王健安
,
徐学良
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.017
从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB.
关键词:
HBT
,
SiGe
,
横向尺寸
,
高频噪声
刘芳
,
王茺
,
杨瑞东
,
李亮
,
熊飞
,
杨宇
材料导报
采用基于密度泛函理论的平面渡超软赝势方法和广义梯度近似,计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度.计算结果表明,Ge掺杂后体系晶格常数发生变化,Ge-Si键变长,布居值及带隙宽度减小.还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质,掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大,且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移,并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释.
关键词:
第一性原理
,
SiGe
,
电子结构
,
光学性质
金冬月
,
张万荣
,
谢红云
,
沈珮
,
胡宁
,
甘军宁
,
李佳
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.017
提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性.模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善.上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距的增加,从而有效阻止热流由外侧指流向中心指处.此外,与均匀指间距结构器件相比,其热阻改善13.71%,热退化功率水平提高22.8%.因此,模拟和实验均证明采用非均匀指间距结构HBT的版图设计可有效改善功率HBTs热稳定性.
关键词:
SiGe
,
HBT
,
热稳定性
孙伟峰
,
叶志镇
,
赵炳辉
,
朱丽萍
材料导报
SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如Atmel Wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代Si/SiGe双极技术(SiGe2).这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率fT和最大震荡频率fmax达到90GHz以上[1];5GHz和20GHz的最大稳定增益(MSG)分别为22dB和11dB.SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS技术还处于发展阶段.
关键词:
SiGe
,
双极
,
CMOS
,
射频
,
MSG
姜洪义
,
王华文
,
任卫
材料导报
热电材料是利用热电效应将电能和热能直接相互转换的功能材料,在热电发电和热电制冷领域都有巨大的应用前景,而SiGe热电材料则是高温域一种很有前途的热电材料.论述了SiGe热电材料的热电特性及制备工艺,阐述了提高材料热电性能的主要途径.
关键词:
SiGe
,
热电材料
,
掺杂
,
烧结
Lei ZHAO
材料科学技术（英文）
It is important to acquire the composition of Si1-xGex layer, especially that with high Ge content, epitaxied on Si substrate. Two nondestructive examination methods, double crystals X-ray diffraction (DCXRD) and micro-Raman measurement, were introduced comparatively to determine x value in Si1-xGex layer, which show that while the two methods are consistent with each other when x is low, the results obtained from double crystals X-ray diffraction are not credible due to the large strain relaxation occurring in Si1-xGex layers when Ge content is higher than about 20%. Micro-Raman measurement is more appropriate for determining high Ge content than DCXRD.
关键词:
Si1-xGex
,
high
,
Ge
,
content
,
composition
,
determi
杨沛锋
,
李开成
,
何林
,
刘道广
,
张静
,
李竞春
,
谢孟贤
,
杨谟华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.007
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响.开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz.
关键词:
锗硅材料
,
分子束外延
,
异质结双极晶体管
,
优化设计
