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张正选 , 林成鲁
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.024
重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的新结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它们的性能进行了分析.
关键词: 纳米 MOSFET , SOI , 双栅 MOSFET , FinFET , SiGe/Si