蒋中伟
,
张维连
,
牛新环
,
张书玉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.006
利用傅立叶红外光谱( FTIR)测试技术,研究了掺锗 CZSi的低温和常温红外吸收光谱.发现 高浓度 Ge掺入 CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为 1118 cm- 1、 710 cm- 1和 800 cm- 1的新红外 吸收峰,这些峰的吸收强度随 Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰( 607 cm- 1)则向低频方 向移动.同时利用 X射线单晶衍射技术( SCXRD)测定了 SiGe( Ge: 10wt%)单晶的晶格常数,结果 表明晶格常数由 Si单晶的 0.54305nm变为 0.5446nm.
关键词:
CZ法
,
SiGe单晶
,
红外光谱
