周晶晶
,
肖少庆
,
姚尧
,
顾晓峰
人工晶体学报
本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(SiH4)、氮气(N2)和氢气(H2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(SiNx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键...
关键词:
SiNx
,
等离子体化学气相沉积
,
表面钝化
,
容性放电
唐煜
,
周春兰
,
贾晓昀
,
王文静
材料导报
SiNx:H薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,在晶体硅太阳电池(单晶硅、多晶硅)的研究和生产中得到越来越广泛的应用.介绍了SiNx:H薄膜在硅基太阳电池中的减反射和钝化作用,主要制备方法等研究现状,以及面临的问题和今后的研究趋势.
关键词:
太阳电池
,
SiNx
,
H
,
钝化
,
减反射
李欣予
,
王若铮
,
吴胜利
,
李尊朝
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173205.0344
基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响.仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiNx和HfO2多种不同组合的叠层结构.仿真及实验结果表明:含有高k材料的...
关键词:
半导体器件仿真
,
薄膜晶体管
,
绝缘层
,
氮化硅
,
二氧化铪
,
叠层结构
丁德松
,
周炳卿
,
部芯芯
,
高爱明
硅酸盐通报
采用热丝化学气相沉积法,以Sill4、NH3、N2为反应气源,通过改变氮气流量沉积氮化硅薄膜.通过紫外-可见(UV-VIS)光吸收谱、傅里叶红外透射光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)等测试手段对薄膜的光学带隙、键合特性及晶相进行表征与分析.结果表明:薄膜主要表现为Si-N键合结构,当N2流量从...
关键词:
热丝化学气相沉积
,
薄膜
,
氮化硅
,
化学键结构
