陈晖
,
周细应
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2012.01.007
采用射频磁控溅射法在石英玻璃和不锈钢基底上沉积SiNx薄膜,以SEM和AFM观察薄膜的表面形貌,检测粗糙度和颗粒度大小对薄膜表面形貌动态演化进行量化表征.结果表明:石英玻璃基片SiNx薄膜较不锈钢基片薄膜更为均匀致密,且颗粒更为细小；真空退火处理有利于细化SiNx薄膜颗粒,减小其表面粗糙度；在溅射功率为125～175W范围内,SiNx薄膜颗粒平均直径高达41.0 nm,其rms以及颗粒度在75W时受氩气溅射压强的影响大.
关键词:
SiNx薄膜
,
粗糙度
,
颗粒度
,
原子力显微镜
黄佳木
,
罗先盛
材料导报
采用磁控溅射法在AZ31镁合金表面沉积了SiNx薄膜.用场发射扫描电镜、X射线衍射、X光电子能谱等研究分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和化学成分.实验结果表明,所制备的SiNx薄膜为非晶态的富N膜;SiNx薄膜可显著降低AZ31在3.5%的NaCl溶液中的腐蚀电流密度,膜厚为1.5靘时,在阳极极化区出现钝化现象.
关键词:
SiNx薄膜
,
磁控溅射
,
镁合金
,
腐蚀
刘瑞文
,
焦斌斌
,
欧毅
,
陈大鹏
功能材料
研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺.通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化.制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液(70℃、33.3% KOH溶液)中支撑12h而无明显变化,并实现自支撑全镂空薄膜.
关键词:
等离子增强化学气相淀积(PECVD)
,
SiNx薄膜
,
湿法腐蚀
姜礼华
,
曾祥斌
,
张笑
,
曾瑜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00802
通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,以氨气和硅烷为反应气体,P型单晶硅和石英为衬底,低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜.经高温(范围500～950℃)退火处理优化了薄膜结构.室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiM薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱,对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析.Raman光谱表明.SiNx薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构.PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带,随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同.当退火温度低于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移.当退火温度高于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而红移.通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应.这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义.
关键词:
硅纳米粒子
,
SiNx薄膜
,
量子限制效应
