郝天亮
,
陈钢进
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.22.019
Si O 2驻极体具有优异的电荷储存能力，其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点，一直是微器件和传感器领域研究的热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发两种方法制备的SiO2薄膜的驻极体特性，发现 PECVD方法制备的Si O 2薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸发制备的Si O 2薄膜。结合扫描探针显微镜、X射线衍射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表明，其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关。PECVD方法制备的非晶SiO2薄膜由纳米级非晶颗粒组成，颗粒间存在大量无序度较高的界面，由此产生的“界面陷阱”是导致 PECVD 制备的 SiO2薄膜具有更佳电荷存储稳定性的根本原因。
关键词:
驻极体
,
SiO2 薄膜
,
微观结构
,
PECVD
,
电子束蒸发
朱恒伟
,
李文杰
,
张金云
,
叶欢
,
陈国安
,
吕斌
,
吕建国
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.009
采用自主研制的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)专用设备,在玻璃容器内壁沉积SiO2薄膜,用作阻隔涂层.通过设计沉积工艺,在不同的气体流量比例、工作气压和生长时间等生长条件下制备出SiO2薄膜;通过扫描电子显微镜(SEM)测试表征薄膜的形貌和结构,评价薄膜的性能.根据表征结果分析了各种工艺参数对薄膜性能的影响,获得了较为优化的工艺参数,在玻璃容器内壁制备出较高质量的SiO2薄膜.
关键词:
PECVD
,
玻璃容器
,
内壁镀膜
,
SiO2薄膜
,
SEM表征
李仁莹
,
王明
,
董国波
,
高方圆
,
唐芳
,
王玫
,
刁训刚
人工晶体学报
采用MPS单极性脉冲磁控溅射法,在PMMA衬底上制备SiO2增透薄膜,通过改变溅射时间达到最优的增透效果.在此基础上,制备了不同溅射时间的ITO薄膜,系统研究了增透前后的可见光透过率、方块电阻和红外发射率的变化.实验结果表明,增透后薄膜可见光平均透光率提高大约6％,对于溅射时间小于60 min的ITO薄膜增透之后的平均透光率达到80％以上,同时薄膜的方块电阻以及红外发射率变化较小.
关键词:
SiO2薄膜
,
增透
,
ITO薄膜
