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具有高结合强度的铝基片SiOx陶瓷膜层CVD制备

刘涛 , 郦剑 , 沈复初 , 王幼文

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2002.04.010

采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.使用SEM、TEM及XPS仪分析了膜层形貌、成分和组织结构,通过180°、90°弯曲实验和450 ℃热冲击实验考察了陶瓷膜层与基片的结合性能,证实该技术制备的膜层与基底的结合强度很高.

关键词: 化学气相沉积(CVD) , SiOx膜层 , 结合强度