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高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体Sm0.2 Ce0.8O1.9-x缓冲层

武伟 , 王蒲明华 , 雷鸣 , 王文涛 , 张红 , 张欣 , 高顺天 , 赵勇

低温物理学报

本文采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)的方法,在双轴织构的Ni-5%W合金基底上制备了Sm0.2Ce0.8O1.9-x(SCO)单一缓冲层,并研究了不同退火温度对缓冲层织构和微结构的影响.研究结果表明,通过1100℃退火处理可以得到织构优良、表面致密平整,厚度可达200nm的SCO单一缓冲层....

关键词: 单一缓冲层 , 高分子辅助 , Sm掺杂CeO2