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光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究

张小桃 , 谢建军 , 夏长泰 , 张晓欣 , 肖海林 , 赛青林 , 户慧玲

人工晶体学报

作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料,β-Ga2 O3单晶已经引起了人们的广泛关注.β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4掺入是其中一种很好提高-Ga2O3导电性的方法.利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10％的掺锡氧化镓单晶(Sn∶ β-Ga2O3),并对Sn...

关键词: Sn∶β-Ga2O3 , 浮区法 , 电导率 , 荧光光谱