侯登录
,
赵晶
,
杜国强
,
唐贵德
功能材料
利用交流磁化率实验结果研究SrRuO3材料的相变规律:利用居里温度处M(h,0)∝h1/δ关系得到δ=3.17±0.20.计算约化温度tm=(Tm-TC)/TC,利用公式,tm∝h1/(γ+β),得到γ+β值为1.50±0.05.利用交流磁化率峰的高度xm与峰的温度tm的关系,xm(h,tm)∝tm...
关键词:
相变
,
SrRuO3
,
磁性材料
,
临界指数
赵庆勋
,
张婷
,
马继奎
,
魏大勇
,
王宽冒
,
刘保亭
人工晶体学报
应用磁控溅射法在以SrRuO3 (SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3 (BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器.采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响.X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构.在2....
关键词:
磁控溅射
,
沉积温度
,
SrRuO3
,
BiFeO3薄膜
朱明康
,
董显林
,
陈莹
,
丁国际
,
王根水
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160190
采用射频磁控溅射法在单晶SrTiO3 (STO)衬底和硅(Si)衬底上制备出不同取向的SrRuO3 (SRO)薄膜,对薄膜的残余应力进行了分析,并研究了应力对不同取向SRO薄膜磁学性能与电输运特性的影响.根据X射线衍射(XRD)结果分析可知,Si基SRO薄膜为多晶单轴取向薄膜,且应力来源主要为热失配...
关键词:
钌酸锶
,
取向
,
残余应力
,
磁学性能
,
电输运特性