侯登录
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赵晶
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杜国强
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唐贵德
功能材料
利用交流磁化率实验结果研究SrRuO3材料的相变规律:利用居里温度处M(h,0)∝h1/δ关系得到δ=3.17±0.20.计算约化温度tm=(Tm-TC)/TC,利用公式,tm∝h1/(γ+β),得到γ+β值为1.50±0.05.利用交流磁化率峰的高度xm与峰的温度tm的关系,xm(h,tm)∝tm-γ,得到指数y=0.96±0.05.以上结果与平均场预测值相近.
关键词:
相变
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SrRuO3
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磁性材料
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临界指数
赵庆勋
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张婷
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马继奎
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魏大勇
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王宽冒
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刘保亭
人工晶体学报
应用磁控溅射法在以SrRuO3 (SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3 (BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器.采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响.X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构.在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×104 A/cm2.漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理.实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性.
关键词:
磁控溅射
,
沉积温度
,
SrRuO3
,
BiFeO3薄膜
侯登录
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徐静
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唐贵德
,
聂向富
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姜恩永
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.038
用固相反应法制备了SrRuO3样品, 用物理性质测量系统PPMS测量, 得到了样品在不同直流偏磁场下的交流磁化率随温度变化关系曲线. 观察到SrRuO3的磁化率曲线在居里温度附近呈现临界峰和Hopkinson峰, 它们的位置随直流偏磁场的不同而有规律的变化. SrRuO3的Hopkinson峰随磁场的增大向低温移动, 而其临界峰随磁场的增大几乎不变, 并分析了上述现象的原因.
关键词:
磁化率
,
Hopkinson峰
,
SrRuO3
朱明康
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董显林
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陈莹
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丁国际
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王根水
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160190
采用射频磁控溅射法在单晶SrTiO3 (STO)衬底和硅(Si)衬底上制备出不同取向的SrRuO3 (SRO)薄膜,对薄膜的残余应力进行了分析,并研究了应力对不同取向SRO薄膜磁学性能与电输运特性的影响.根据X射线衍射(XRD)结果分析可知,Si基SRO薄膜为多晶单轴取向薄膜,且应力来源主要为热失配拉应力;STO基SRO薄膜为外延薄膜,其应力主要为热失配压应力和外延压应力;磁学性能测试表明,(001)取向SRO薄膜比(110)取向薄膜拥有更高的居里温度TC;压应力提高了(001)取向SRO薄膜的TC,却降低了(110)取向薄膜的TC.电阻性能测试表明,对于在同种类型衬底上沉积的SRO薄膜,(001)取向的薄膜的剩余表面电阻比(RRR)高于(110)取向的薄膜.另外,拉应力引起了薄膜微结构的无序度增加,弱化了表面电阻率的温度依赖性,提高了金属绝缘体转变温度(TMI).
关键词:
钌酸锶
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取向
,
残余应力
,
磁学性能
,
电输运特性
