王宁章
,
卢安栋
,
唐江波
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罗婕思
,
文章
材料导报
选择SiO2作为烧结助剂,NbO5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200C制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ＞105Ω·cm,压敏电压V1mA＜50V,非线性系数α接近10,介电常数ε＞104,介电损耗tanδ可以控制在10％以下,漏电流可以控制在50μA以下.
关键词:
真空烧结
,
烧结助剂
,
低温烧结
,
SrTiO3陶瓷
徐庆
,
陈文
,
袁润章
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.054
采用一次烧成工艺制备出掺Ni2+离子的SrTiO3复合功能陶瓷,测量了不同氧化热处理温度下样品的介电性能和压敏性能,运用AC阻抗谱研究了SrTiO3陶瓷晶粒和晶界的电学特性,并对样品进行了 XPS分析.研究结果表明,氧化热处理过程中氧对晶粒表面氧空位的填充以及Ni2-离子对晶粒表面Ti4-离子的低价取代,是形成晶界Schottky势垒并产生复合功能特性的重要因素.随着氧化热处理温度的提高,样品的非线性系数α和压敏电压VIMA不断增大,而表观介电常数εeff和介电损耗tgδ则趋于降低.
关键词:
SrTiO3陶瓷
,
复合功能特性
,
一次烧成
,
氧化热处理
徐庆
,
陈文
,
袁润章
功能材料
采用一次烧成工艺制备掺施主杂质Nb2O5和受主杂质Ag2O的SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷,分析了Ag2O掺杂对SrTiO3陶瓷电学性能的影响,采用XPS和EPMA分析方法确定了Ag的结构状态.研究结果表明,Ag+离子存在于烧结助剂形成的晶界非晶相中,对SrTiO3晶粒的半导化状况未产生显著影响.氧化热处理过程中Ag+离子低价取代晶粒表面的Sr2+离子而形成晶界受主态,是产生晶界Schottky势垒及复合功能效应的重要原因.
关键词:
SrTiO3陶瓷
,
复合功能
,
一次烧成
,
掺杂Ag+离子
李建英
,
李盛涛
稀有金属材料与工程
研究了SrTiO3基压敏陶瓷热处理过程中氧的作用.发现SrTiO3基压敏陶瓷的压敏电压U10mA与试样的厚度无关,且随着热处理温度的升高而增大.进一步的试验表明SrTiO3基压敏陶瓷的压敏特性主要受试样表面高阻层的控制.X射线光电子能谱(XPS)的Mn 2p和O 1s谱图表明,表面高阻层是氧在热处理过程中通过晶界的扩散和化学吸附产生的.因此,氧在晶界处的化学吸附是SrTiO3基陶瓷压敏特性产生的根源.
关键词:
SrTiO3陶瓷
,
晶界
,
压敏电阻
