程开甲
,
程漱玉
稀有金属材料与工程
应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性.对金属铂上的TiO2膜层来说,TFDC理论指出电子(或空穴)将由金属与膜的间界面一侧迁移到另一侧.根据Cheng-Born对称破缺理论,当能带中只有很少的电子时,则只有极少的角区中存在电子,动量空间即产生对称破缺,从而导致超导电性,并由热力学估算出薄膜超导体的转变温度.结果显示薄膜超导体的转变温度至少比块材超导体的转变温度高一个量级.作者还设计了一个研究薄膜超导电性的实验.
关键词:
超导电性
,
薄膜
,
对称破缺
,
TFDC
张磊
,
李世春
材料导报
运用固体与分子经验电子理论,定量分析了Mg2Ni溶氢前后的电子结构与性能变化.结果表明,Mg2Ni中,Ni-Mg键在相互作用中占主导,而Mg2NiH4中,Ni-H键的键能远大于Mg-H键的键能.EET理论的电子结构计算结果与第-原理的计算结果相符.Mg2Ni溶氢后,平均晶格电子数显著减少,脆性增加,因而反复吸放氢后易粉化.
关键词:
Mg2Ni
,
储氢
,
TFDC
,
EET
,
电子结构
,
键能
