程开甲
,
程漱玉
稀有金属材料与工程
应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性.对金属铂上的TiO2膜层来说,TFDC理论指出电子(或空穴)将由金属与膜的间界面一侧迁移到另一侧.根据Cheng-Born对称破缺理论,当能带中只有很少的电子时,则...
关键词:
超导电性
,
薄膜
,
对称破缺
,
TFDC
张磊
,
李世春
材料导报
运用固体与分子经验电子理论,定量分析了Mg2Ni溶氢前后的电子结构与性能变化.结果表明,Mg2Ni中,Ni-Mg键在相互作用中占主导,而Mg2NiH4中,Ni-H键的键能远大于Mg-H键的键能.EET理论的电子结构计算结果与第-原理的计算结果相符.Mg2Ni溶氢后,平均晶格电子数显著减少,脆性增加,...
关键词:
Mg2Ni
,
储氢
,
TFDC
,
EET
,
电子结构
,
键能
