李婧
,
张金中
,
谢振宇
,
阎长江
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0547
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜.通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响.研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性.当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×1...
关键词:
SiNx∶H界面态
,
Si/N
,
开关比
,
TFT特性
张家祥
,
卢凯
,
郭建
,
姜晓辉
,
崔玉琳
,
王亮
,
阎长江
,
曲连杰
,
陈旭
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142901.0055
对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本.采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率.无退火工艺下PI膜表面平整均匀,...
关键词:
无退火工艺
,
透过率
,
氧化铟锡层
,
TFT特性
张家祥
,
王彦强
,
卢凯
,
张文余
,
王凤涛
,
冀新友
,
王亮
,
张洁
,
王琪
,
刘琨
,
李良杰
,
李京鹏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0433
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,Ioff偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道...
关键词:
沟道界面
,
漏电流
,
Al电极
,
TFT特性
