李鑫
,
卞丽丽
,
陈曦
,
吴成龙
,
贠向南
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0904
为了对 TFT-LCD 中的闪烁不良进行改善,本文通过研究 TFT-LCD 中干法刻蚀(Nplus Etch)对 TFT 特性的影响,以此对刻蚀条件(Power、Gas)进行优化,达到降低 Photo-Iof 的目的。实验结果表明,当干法刻蚀主工艺条件为：Source/Bias=4 k/5 k、Press=90 mT、SF6/O2=1.1 k/3 kml/min,AT Step 条件为：Source/Bias=2 k/2 k、Press=100 mT、SF6/O2=3 k/3 kmL/min 时,Photo-Iof 由量产最初的58.15降至20.52,闪烁由15%~30%降至10%以下。干法刻蚀工艺条件的优化对 TFT 特性以及闪烁有明显改善效果。
关键词:
干法刻蚀
,
TFT 特性
,
闪烁改善
