常新安
,
艾琳
,
臧和贵
,
肖卫强
,
涂衡
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.046
本文以三氟乙酸作为掺质,分别按4.4mol%、9.4mol%、13.4mol%、18.4mol%的配比进行了掺质TGS晶体生长,并对其作X射线粉末衍射分析及晶体热释电性能的测试.结果表明,三氟乙酸的掺入虽然使热释电性能有一定程度下降,但却使得晶体铁电-顺电相转变延迟,提高了晶体的居里点,并产生了一定的内偏压场.
关键词:
三氟乙酸
,
TGS晶体
,
晶体生长
,
居里点
张克从
,
李波
,
王希敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.002
本文采用水溶液缓慢降温法生长了4种双有机取代基TGS系列晶体.双有机取代基分别为L-α-丙氨酸+乙酸,L-α-丙氨酸+丙酸,L-α-丙氨酸+乳酸,L-α-丙氨酸+异丙醇胺.系统地研究了有机双取代基TGS系列晶体的生长形态、晶胞参数、主要的介电、热释电和铁电性能参数等,发现这几种双有机取代基TGS晶体的品质因子有不同程度地提高.并从结构的角度出发探讨了双有机取代基对晶体生长形态和晶体性能的影响机制,提出了有机取代基分子本身的结构特征和有机取代基中的功能基团是影响TGS晶体形态和性能的两大因素.
关键词:
TGS晶体
,
双有机取代基
,
晶体生长形态
,
热释电性能
,
铁电性能
,
溶液晶体生长
