王超杰
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蒋洪川
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张万里
,
向阳
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司旭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.017
采用反应直流磁控溅射法在Al_2O_3陶瓷基片上制备TaN薄膜,研究了氮流量(N_2/(N_2+ Ar))对TaN薄膜微结构及性能的影响.结果表明,随氮流量的增大,TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大,而沉积速率逐渐降低.当N_2流量较低(2%～4%)时,TaN薄膜中主要含有电阻率和TCR绝对值较低的六方Ta_2N相(hcp),薄膜的电阻率在344μΩ·cm到412μΩ·cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几十ppm/℃.当氮气流量较高(5%～6%)时,薄膜中Ta_2N相消失,薄膜中主要含有TCR绝对值较大的体心四方结构(bct)的TaN和四方结构(bct)的Ta_3N_5相,薄膜的电阻率在940μΩ·cm到1030μΩ·cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几百ppm/℃.
关键词:
TaN薄膜
,
TCR
,
磁控溅射
,
氮流量
