沈萍
,
张继军
,
王林军
,
沈敏
,
梁巍
,
孟华
人工晶体学报
采用垂直布里奇曼法(VB)生长CdMnTe晶体,由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素,晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等,限制其在核辐射探测器方面的应用.为了提高晶体的质量,本文采用移动加热器法(travelling heater method,THM)生长CdMnTe晶体,对该方法生长的晶体中Mn的轴向分布、杂质浓度、Te夹杂和电学性能进行测试分析,并与VB法生长的晶体作对比.结果表明THM法生长的CdMnTe晶体中Mn的轴向分布均匀,杂质浓度低于VB法制得的晶体,Te夹杂的尺寸5～25 μm,浓度105 cm-3,电阻率为109～1010Ω·cm,导电类型为弱n型,制备的探测器在室温下对241Am放射源有能谱响应.实验表明THM法生长的CMT晶体在晶体质量和电学性能方面明显优于VB法.
关键词:
CdMnTe
,
移动加热器法
,
垂直布里奇曼法
,
Te夹杂
,
电学性能
王东
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
孙孝翔
,
刘伟伟
,
李辉
,
张继军
,
王林军
功能材料
利用温度梯度溶液生长法（TGSG）在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20～30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪（SEM/EDS）和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。
关键词:
碲锌镉
,
温度梯度溶液生长法
,
红外透过率
,
Te夹杂
李辉
,
闵嘉华
,
王林军
,
夏义本
,
张继军
,
叶邦角
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11548
采用Bridgman法生长CdZnTe晶体.分别采用红外透过显微镜和正电子湮灭寿命谱仪研究了CdZnTe晶体中的Te夹杂相、Cd空位等缺陷与坩埚中的自由空间量大小的关系.结果表明:随着坩埚自由空间量的减小,晶体中Te夹杂相密度从6.67×104/cm2降低到2.36×103/cm2,且Te夹杂相尺寸减小；晶体的正电子平均寿命值随着坩埚自由空间量的减小从325.4 ps降低到323.4 ps,表明晶体的Cd空位浓度及微结构缺陷减少；晶体的红外透过率和电阻率则随着坩埚自由空间量的减小大幅提高,进一步表明坩埚中自由空间量的减小能够有效地降低晶体中的缺陷浓度.
关键词:
CdZnTe
,
缺陷
,
正电子寿命
,
Te夹杂
