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3C-SiC短程结构的分子动力学模拟

王科 , 江建军 , 周肇勋 , 赖西湖 , 王晓川

功能材料

采用Tersoff势对晶态3C-SiC结构进行了NEV系综的分子动力学模拟,在合适的步数和步长下选用蛙跳法计算该体系的温度、径向分布函数和键角分布,模拟结果表明常温下3C-SiC晶体保持着长程有序闪锌矿结构.蛙跳法适用于NEV线性系综的计算模拟,而不适用于NTV等非线性系综的恒温分子动力学模拟.最后分析模拟过程中的"四位数灾难"是由积分误差累积所致.

关键词: 分子动力学模拟 , 蛙跳法 , Tersoff势