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Ti对Zn-Al合金薄膜耐腐蚀性能的影响

张静玉刘庆峰刘茜

金属学报

应用组合材料芯片技术, 以离子束溅射法在低碳钢基片上制备了不同Ti掺杂量的Zn-Al-Ti薄膜 (Al和Zn质量分数分别为55%和45%)样品阵列. 沉积得到的
多层薄膜经低温扩散和高温晶化形成合金薄膜. 以电化学方法测定合金薄膜在浓度(质量分数)为3.5%的中性NaCl水溶液中的耐蚀性能, 并进一步研究了优选出的组分的耐蚀性. 结果表明, Ti的适量掺杂可使合金薄膜的耐蚀性能明显提高. 其中, Ti的质量分数在6%左右时耐蚀性能最佳. 采用XRD及SEM对6%Ti的合金薄膜的相结构和表面形貌进行了表征, 并与未掺杂Ti的薄膜进行了比较. 此外, 分析了Zn-Al-6%Ti合金薄膜的腐蚀机理, 为进一步优化薄膜体系提供了依据.

关键词: Ti 掺杂 , anti–corrosion , combinatorialmaterial chip technology , null

Ti 掺杂及退火处理对水热合成 WO 3纳米晶粒结构及气敏性能的影响

冯媛媛 , 杨晓红 , 左佳奇 , 王长远 , 王维 , 马勇

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.019

采用水热法制备了不同掺杂浓度的 WO 3∶Ti 纳米晶粒,并在350℃下退火1 h.采用 SEM、XRD 表征了材料的形貌与结构,并测试了用退火前后合成材料制成的薄膜气敏传感器件在200℃下对NO 2的气敏性能.结果表明,Ti 掺杂可以有效抑制WO 3晶粒的生长,减小晶粒尺寸;退火处理使材料的晶相发生了改变,晶粒尺寸进一步减小,晶粒分散性变好.薄膜传感器件的测试结果显示,适量 Ti 掺杂和退火处理均可提高器件对 NO 2的灵敏度,退火后 Ti 掺杂2%样品制成的器件的灵敏度最大,其值达到了15.38,响应恢复时间分别为2.2和1.5 min,且具有良好的可重复性和稳定性.

关键词: Ti 掺杂 , WO 3 , 退火 , 气敏 , 水热法

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