于翔
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王成彪
,
刘阳
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于德洋
金属学报
利用新型中频对靶磁控溅射技术合成了一系列TiN/Ti多层膜. 考察了不同Ti间隔层
对多层膜硬度和结合力的影响, 分析了膜表面大颗粒和坑的形成机理; 利用正交
实验法和方差分析探讨了靶电流、气体压力和基体偏压对薄膜表面缺陷密度的影响,
对工艺参数进行了优化. 结果表明, 靶电流对缺陷密度的影响最大, 气体压力次之,
基体偏压对缺陷密度影响最小; 当靶电流I=20 A、气体压力p (Ar+N 2)=0.31 Pa、基体偏压V bias=-60 - -300 V和Ti间隔层厚度x=0.12 um时, 制备出硬度HV 0.2 N =2250、膜基间结合力(临界载荷)L c=48 N和表面缺陷密度ρs=58 mm -2的高质量TiN/Ti多层膜.
关键词:
TiN/Ti多层膜
,
magnetron sputtering
,
mechanical property
