吕树国
,
刘常升
,
张罡
,
毕监智
,
金光
,
李玉海
钢铁研究学报
采用俄罗斯UVN 0.5D2I离子束辅助电弧离子镀沉积设备,在高速钢W18Cr4V基材上沉积TiN膜层.研究了N离子束轰击能量对膜层表面形貌、相结构、显微硬度的影响.结果表明:N离子束辅助轰击,能够有效地减少和降低膜层表面"大颗粒"的数量和尺寸,消除了膜层中较软Ti_2N相,得到了单一的TiN相.随着轰击能量的增加,TiN相结构不发生改变,TiN(111)取向逐渐减弱,而(200)取向逐渐增强.N离子束辅助轰击能量的增加,提高了膜层的显微硬度.
关键词:
电弧离子镀
,
TiN膜层
,
离子束
,
大颗粒
陈昌浩
,
金永中
,
刘东亮
,
余学金
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.11.005
目的 分析不同负偏压下TiN涂层表面的大颗粒数量、尺寸和面积以及像素分布,为多弧离子镀技术的工业化应用提供基础数据. 方法 采用多弧离子镀膜技术,以脉冲负偏压为变量,在硬质合金表面沉积TiN涂层. 用扫描电子显微镜对涂层表面形貌进行表征,并利用ImageJ软件对表面大颗粒的数量和尺寸进行分析,对像素分布进行统计. 结果 随着负偏压的增加,涂层表面大颗粒的数量先增多,后减少. 负偏压为100 V时,大颗粒数量最多,为1364;负偏压为300 V时,大颗粒数量最少,为750. 此外随着负偏压的增加,大颗粒所占涂层面积比逐渐减小. 未加负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最大,为6 . 9%,且此时涂层的力学性能最差;采用400 V负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最小,为3 . 3%,且此时涂层的力学性能最好. 负偏压为300 V时,亮、暗像素点的个数最多,为8302;负偏压为400 V时,亮、暗像素点的个数最少,为4067. 结论 当占空比为30%,沉积时间为1 h,负偏压为400 V时,获得的涂层力学性能最好,颗粒数量少且尺寸小.
关键词:
多弧离子镀
,
TiN涂层
,
负偏压
,
ImageJ软件
,
大颗粒
,
像素分布
秦华
,
陶冶
,
邓斌
物理测试
采用MEVVA离子源技术对由磁过滤阴极真空电弧沉积的TiN薄膜注入不同剂量的Si元素，利用XPS和纳米硬度仪表征si离子注入后化学成分、元素键合状态以及硬度的变化。结果表明，si离子注入后，薄膜表面硬度得到提高，5×10^16ions／cm^2。的样品硬度峰值从27．18GPa增加到39．85GPa，随着注入剂量的增加，纳米硬度峰值有下降的趋势，1×10^17ions／cm。的样品硬度峰值为33．27GPa，但表面改性层的深度增加，纳米硬度在一定的深度范围内得到了整体的提高。离子注入使薄膜表面层的弹性模量显著提高，表层弹性模量随注入剂量的增加而提高。并且由于Si元素的注入，形成了新的微结构相Si3N4，新相的含量与注入剂量有关。
关键词:
TiN薄膜
,
Si离子注入
,
纳米硬度
,
XPS
梁戈
,
白力静
,
蒋百灵
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.04.002
通过SEM和XRD法,研究不同热氧化温度下闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术制备的TiN镀层形貌、相结构及性能的变化.结果表明:非平衡磁控溅射离子镀TiN镀层在700℃以下性能基本稳定,具有良好的热氧化性能,尽管600℃时生成少量TiO_2相,但600℃之前断口形貌及组织结构保持稳定;700℃时镀层的单位质量氧化增重率迅速增加,氧化曲线出现拐点,镀层失效.
关键词:
TiN镀层
,
热氧化
,
非平衡磁控溅射
