商希礼
,
刘美玲
,
李长海
,
李贞玉
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.04.010
目的 提高半导体石墨相氮化碳(g-C3N4)的光催化性能.方法 通过Hummers法和半封闭一步热裂解法制备了氧化石墨烯(GO)和g-C3N4,再分别利用溶剂热法、热缩聚法和浸渍化学还原法制得相应的TiO2/g-C3N4、ZnO/g-C3N4、RGO/g-C3N4复合材料.采用X-射线衍射(XRD)...
关键词:
g-C3N4
,
TiO2/g-C3N4
,
ZnO/g-C3N4
,
RGO/g-C3N4
,
复合材料
,
光催化
,
降解