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(Sr2+,Bi3+,Si4+,Ta5+)掺杂的TiO2压敏陶瓷中Ta5+的研究

孟凡明 , 胡素梅 , 傅刚 , 周方桥

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.027

研究Ta2O5对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响,发现按配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5配制的样品具有最低压敏电压(E10mA=1.2V·mm-1)、最大相对介电常数(εra=2.002×105)及较小非线性系数(a=2.6).考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求,Ta2 O5最佳掺杂量在0.085mol%与0.1mol%之间.

关键词: TiO2基压敏陶瓷 , 压敏电压 , 非线性系数 , 介电常数

不同烧结工艺对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响

孟凡明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.005

分别采取四种不同的工艺过程,按照配方TiO2+0.3mol%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075mol%Ta2O5制备四种试样.通过压敏电压、非线性系数、复阻抗特性、伏安特性、势垒高度、介电频率特性和损耗频率特性的测定,研究了一次烧成、粉料预烧及预烧方式对TiO2基压敏陶瓷电性能的不同影响.结果表明,采取一次烧成工艺制备的试样具有压敏电压较低(E10mA=7.9 V·mm-1)、介电常数较大(εra=5.88×104)等特性,并从理论上对此作出一定的分析.

关键词: TiO2基压敏陶瓷 , 压敏电压 , 非线性系数 , 介电常数 , 半导化 , 损耗

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