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氮化硅的氧化机制研究

陈思员 , 姜贵庆 , 俞继军 , 欧东斌

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.007

研究了氮化硅的氧化机制以及被动氧化至主动氧化的转捩温度,并结合试验结果做了分析.结果表明氮化硅在高温下极易炸裂,在被动氧化机制下生成氮气和SiO_2薄膜,转捩温度和碳化硅材料基本一致.

关键词: 抗氧化 , 氮化硅 , 转捩温度

Zn掺杂MgB2超导电性的研究

马耀通 , 孙爱民 , 刘恒伟 , 鲁彦忠 , 马金元 , 艾小倩 , 赵懂叶

低温物理学报

我们用传统的固相反应法烧结了一系列Mg1-xZnxB2(x=0.00,0.02,0.04,0.06,和0.08),仔细研究超导转变温度和结构,发现随着Zn掺杂量的增加,002峰向衍射角减小的方向转移,这使Zn原位替代Mg和晶格常数a的增大成为可能.电阻系数测量表明,被Zn替代后开始的超导转变温度(Tc)几乎没有变化,尤其,当掺杂量x不高于0.04时MgB2的Tc值只是轻微的增加.例如,没有掺杂的块体的Tc是38.5K,而x=0.02时为39K,x=0.04为38.7K.

关键词: MgB2 , Zn参杂 , 转变温度

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