单尼娜
,
吕长志
,
李志国
,
张小玲
,
郭春生
,
朱春节
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.009
对VDMOS各样品进行总剂量3KGy(Si)的γ射线辐照试验,对比了试验前后的阈值电压、亚阈值电流、跨导及导通电阻的变化情况,并从理论上分析了参数退化的原因.然后研究了辐照后VDMOS各样品在室温下长时间存储及退火后参数的变化情况,并做出了解释.试验结果表明:γ射线辐照使得各样品参数有不同程度的退化,其中,A类样品的阈值电压平均退化4.5V,B类样品平均退化1.74V;亚阈值电流增长大于2个数量级;跨导平均增长0.7S;导通电阻平均退化0.052Ω.在室温下长时间存储后样品参数有小幅度的恢复.高温退火使得样品各参数基本恢复至辐照前水平.
关键词:
VDMOS
,
辐照
,
阈值电压
,
存储
,
退火
蔡小五
,
海潮和
,
王立新
,
陆江
,
刘刚
,
夏洋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.015
为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.
关键词:
VDMOS
,
辐照
,
氧化物陷阱电荷
,
界面态电荷
蔡小五
,
海潮和
,
王立新
,
陆江
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.019
由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法.
关键词:
VDMOS
,
超结
,
击穿电压
,
导通电阻
