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蔡莉莉 , 李海军
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.018
应用兀FTIR技术研究了1.5 MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-si)的V-O缺陷在不同温度热处理时的行为.发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830 cm-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830 cm-1峰的出现,在860 cm-1处出现一弱的吸...
关键词: 电子辐照 , 辐照缺陷 , VO , FTIR
杨帅 , 马巧云 , 刘铁驹 , 李养贤 , 李永章 , 牛胜利 , 李洪涛 , 牛萍娟
功能材料
应用FTIR技术研究了不同剂量(1×1017～1.17×1019n/cm2)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为.发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下降明显分为3个阶段.FTIR谱表明快中子辐照后主要的辐照缺陷为VO(829 cm-...
关键词: 快中子辐照 , 辐照缺陷 , VO , FTIR
